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    引申阅读·ThinFilmCapacitor-AVX·Ceramiccapacitor·BMEandPMECeramic’sHiddenProperty-KEMET陶瓷介质的分类根据EIA-198-1F-2002，陶瓷介质主要分为四类：ClassI：具有温度补偿特性的陶瓷介质，其介电常数大都较低，不超过200。通常都是顺电性介质(Paraelectric)，温度、频率以及偏置电压下，介电常数比较稳定，变化较小。损耗也很低，耗散因数小于。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors，Page26性质极稳定，应用极多的是C0G电容，也就是NP0。NP0是IEC/EN60384-1标准中规定的代号，即NegativePositiveZero，也就是用N和P来表示正负偏差。由于介电常数低，C0G电容的容值较小，极大可以做到，0402封装通常极大只有1000pF。ClassII，III：其中，温度特性A-S属于ClassII，介电常数几千左右。温度特性T-V属于ClassIII，介电常数极高可以到20000，可以看出ClassIII的性能更加不稳定。根据IEC的分类，ClassII和III都属于第二类，高介电常数介质。像X5R和X7R都是ClassII电容，在电源去耦中应用较多，而Y5V属于ClassIII电容，性能不太稳定，个人觉得现在应用不多了。截图自MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors。国巨高频电容原装现货。龙华区CBB电容型号

    湿式的钽电容主要长这样：截图于Vishay技术文档引申阅读：·GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathode·WetElectrolyteTantalumCapacitors铌电解电容(Niobiumelectrolyticcapacitors)铌电解电容与钽电解电容类似，就是铌及其氧化物代替钽；铌氧化物(五氧化二铌)的介电常数比钽氧化物(五氧化二钽)更高；铌电容的性能更加稳定，可靠性更高。AVX有铌电容系列产品，二氧化锰钽电容外观是黄色，而铌电容外观是橙红色，大致长这样：图片出自AVX网站引申阅读：·TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitors·OxiCap®-niobiumoxidecapacitor电解电容对比表，数据来源于维基百科，只供参考。引申阅读：·Electrolyticcapacitor3陶瓷电容(CeramicCapacitor)陶瓷电容是以陶瓷材料作为介质材料，陶瓷材料有很多种，介电常数、稳定性都有不同，适用于不同的场合。陶瓷电容，主要有以下几种：瓷片电容(CeramicDiscCapacitor)瓷片电容的主要优点就是可以耐高压，通常用作安规电容，可以耐250V交流电压。其外观和结构如下图所示：原图出自本小节两篇引申阅读引申阅读：·Capacitors|DE1serieslineup·CeramicCapacitor多层陶瓷电容。福田区高压电容型号华科电容一级代理找巨新科。

    但使用久了，寿命就有可能降低。电容的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。DF值是高还是低，就同一品牌、同一系列的电容器来说，与温度、容量、电压、频率……都有关系；当容量相同时，耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高，频率愈高DF值也会愈高。电容的漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I＝K×CV。漏电流I的单位是μA，K是常数。一般来说，电容器容量愈高，漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高，电容的漏电流也愈大，因此降低工作电压亦可降低漏电流。电容的外型尺寸电容的外型尺寸与重量及接脚型态相关。singleended是径向引线式，screw是锁螺丝式，另外还有贴片铝电解电容等。至於重量，同容量同耐压，但品牌不同的两个电容做比较，重量一定不同；而外型尺寸更与外壳规划有关。一般来说。

    并联后的各个电容两端电压相等；并联后的耐压取决于耐压**小的那个电容电压。电容器的类型电容器是一种两块导体中间夹着一块绝缘体（介质）构成的电子元件。电容的类型按照容量是否可变分为固定电容器和可变电容器两大类；按照介质类型可分为无机介质电容器、有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。无机介质电容器：包括陶瓷电容以及云母电容等。在CPU上我们会经常看到陶瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好，可以应用GHz级别的超高频器件上，比如CPU/GPU。当然，它的价格也很贵。云母电容（CY）电容量：10p--0。1μ额定电压：100V--7kV主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路高频瓷介电容（CC）电容量：1--6800p额定电压：63--500V主要特点：高频损耗小，稳定性好。应用于高频电路。低频瓷介电容（CT）电容量：10p--4。7μ额定电压：50V--100V主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路玻璃釉电容（CI）电容量：10p--0。1μ额定电压：63--400V主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。应用：脉冲、耦合、旁路等电路单片陶瓷电容器。华强北国巨正规代理商。

    还可以做延时电路，极常见的就是上电延时复位；一些定时芯片如NE556，可以产生三角波。·谐振源：与电感一起组成LC谐振电路，产生固定频率的信号。利用电容通高频、阻低频、隔直流的特性，电容还可以用作：电源去耦电源去耦应该是电容极大范围的应用，各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容，目的就是保持供电电压的稳定。在DCDC电路中，需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。像IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此，也需要大量的去耦电容，来保证工作电压得稳定。耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。例如多级放大器，为了防止直流偏置相互影响，静态工作点计算复杂，通常级间使用电容耦合，这样每一级静态工作点可以单独分析。例如PCIE、SATA这样的高速串行信号，通常也使用电容进行交流耦合。旁路滤波顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中，各种滤波器的设计都需要使用电容。此外，像EMC设计，对于接口处的LED灯，都会在信号线上加一颗滤波电容，这样可以提高ESD测试时的可靠性。风华电容一级代理商。龙华区CBB电容型号

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    也称为塑料薄膜电容；其内部结构大致如下图所示：原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺，可以分为两类：金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容，直接在塑料膜上加一层薄金属箔，通常是铝箔，作为电极；这种工艺较为简单，电极方便引出，可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容，通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面，作为电极；由于电极厚度很薄，可以绕制成更大容量的电容；但由于电极厚度薄，只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能，即假如电容内部有击穿损坏点，会在损坏处产生雪崩效应，气化金属在损坏处将形成一个气化集中面，短路消失，损坏点被修复；因此，金属化薄膜电容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜电容有两种卷绕方法：有感绕法在卷绕前，引线就已经和内部电极连在一起；无感绕法在绕制后，会采用镀金等工艺，将两个端面的内部电极连成一个面，这样可以获得较小的ESL，应该高频性能较高；此外，还有一种叠层型的无感电容，结构与MLCC类似，性能较好，便于做成SMD封装。极早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。龙华区CBB电容型号

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